机译:声子-能量耦合增强引起的超薄工业SiON晶片的大漏电流减小
机译:硅上超薄氧化物的声子-能量耦合增强效应的产生机理
机译:一种有效的模型,用于分析通过Si反转层的超薄氧化物和高k栅堆叠的隧穿栅泄漏电流
机译:使用声子能量耦合增强效果大漏电流减少氧化硅和高k氧化物
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:具有高k铪氧化物电介质的硅纳米线用于敏感检测小核酸低聚物
机译:硅/高k氧化物界面的界面氧化物生长:Si–HfO sub 2界面的第一原理建模